Chip de detección de movimiento de Φ10000 μm

El chip de fotodiodo PIN de monitor InGaAs con iluminación superior, que tiene un ánodo de estructura plana en la parte superior y un cátodo en la parte posterior. Tiene un área activa de Φ10000μm y una alta capacidad de respuesta en la región de longitud de onda de 900 nm a 1700 nm. Se aplica para monitorear la salida de potencia óptica desde la faceta posterior de varios LD y otros monitores.

Características

1. Estructura plana sobre sustrato n+ InP con contacto de ánodo superior.
2. Área activa de Φ10000μm.
3. Alta responsabilidad.
4. Corriente oscura baja.
5. Voltaje de polarización de funcionamiento bajo.
6. Rango de operación de -40℃ a 85℃.
7. Excelente confiabilidad: todos los chips han pasado los requisitos de calificación especificados por Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% prueba e inspección.
9. Está disponible una dimensión de chip personalizada.

Aplicaciones

1. Monitoreo de potencia láser en faceta posterior.