Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP éclairée par le haut présente une grande surface active, qui est une structure mesa, un plot de connexion anodique et un plot de connexion cathodique à l'avant. La taille de la zone active est de Φ2000μm et une réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 910 nm à 1650 nm. Application à la surveillance de la puissance optique de sortie de la face arrière de divers LD.
Caractéristiques
Applications
© 2024 SHENZHEN GREEN DIGITAL POWER TECH CO., LTD