Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP éclairée par le haut présente une grande surface active, une structure plane, une anode sur le dessus et une cathode à l'arrière. La taille de la zone active est de Φ3000μm et une réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 980 nm à 1620 nm. Application à la surveillance de la puissance optique de sortie de la face arrière de divers LD.
Caractéristiques
Applications
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