Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP éclairée par le haut présente une grande surface active, une structure plane, une anode sur le dessus et une cathode à l'arrière. La taille de la zone active est de Φ5000μm et une réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 980 nm à 1620 nm. Application à la surveillance de la puissance optique de sortie de la face arrière de divers LD.
Caractéristiques
- Structure plane sur substrat InP n+ avec contact anodique supérieur.
- Zone active Φ5000μm.
- Haute responsabilité et faible courant d'obscurité.
- Faible tension de polarisation de fonctionnement.
- Plage de fonctionnement de -40℃ à 85℃.
- Excellente fiabilité : toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE.
- 100% essais et inspections.
- Des dimensions de puce personnalisées sont disponibles.
Applications
- Contrôle automatique industriel.
- Analyse et expérimentation scientifiques.
- Équipement de détection de lumière spatiale.
- Mesureur de puissance optique.
- Test du spectre de réponse.