Puce PD de moniteur Φ200μm

Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP éclairée par le haut présente une grande surface active, une structure plane, une anode sur le dessus et une cathode sur le dessous. La taille de la zone active est de Φ200μm et la réactivité est élevée dans la plage de longueurs d'onde de 980 nm à 1620 nm. Application à la surveillance de la puissance optique de sortie de la face arrière de divers LD.

Caractéristiques

1. Structure plane sur substrat InP n+ avec contact anodique supérieur.
2. Zone active de Φ200μm.
3. Haute responsabilité.
4. Faible courant d'obscurité.
5. Faible tension de polarisation de fonctionnement.
6. Plage de fonctionnement de -40℃ à 85℃.
7. Excellente fiabilité : toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% essais et inspections.
9. Des dimensions de puce personnalisées sont disponibles.

Applications

1. Surveillance de la puissance du laser à facette arrière.