Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP à éclairage périphérique présente une grande surface active, une structure plane avec une anode et une double cathode sur le dessus. La taille de la zone détectable sur les bords est de 100 μm x 80 μm et une réactivité plus élevée dans la région de longueur d'onde de 980 nm à 1620 nm. Elle est appliquée à la surveillance de la puissance optique de sortie de la face arrière de diverses communications optiques numériques LD, FTTH et interconnexions optiques.
Caractéristiques
Applications
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