Cette puce de photodiode à avalanche 10G (puce APD) est une sorte d'électrode P sur le dessus et d'électrode N sur la structure inférieure, avec une taille de zone active éclairée par le haut de Φ50μm. Ce produit présente une multiplication élevée, une faible capacité, une bande passante élevée, un faible coefficient de température et une excellente fiabilité, une application dans les récepteurs optiques 10G SONET/SDH et 10G PON.
Caractéristiques
Applications
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