Cette puce de photodiode PIN de surveillance de matrice InGaAs/InP 1X8 présente une grande surface active, une structure plane avec anode et cathode sur le dessus, une surface incidente sur le dos. Avec une taille de zone active éclairée par le bas de Φ100μm et une réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 900 nm à 1650 nm. Principalement utilisée dans la surveillance de la puissance optique.
Caractéristiques
Applications
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