Cette puce photodiode à haut débit de données de 10 Gbit/s est dotée d'une structure PIN InGaAs/InP et d'un éclairage supérieur. Elle se caractérise par une grande fiabilité, une faible capacité, un faible courant d'obscurité, une taille de zone active de Φ50 μm, un plot de connexion d'anode et de cathode sur le dessus pour la liaison par fils du boîtier TO-CAN. Application dans un récepteur 10 Gbit/s.
Caractéristiques
Applications
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