Puce PD de moniteur à éclairage inférieur de Φ300 μm

Cette puce de photodiode PIN de surveillance InGaAs/InP présente une grande surface active, une structure plane avec anode et cathode sur le dessus, une surface incidente sur le dos. Avec une taille de zone active éclairée par le bas de Φ300μm et une réactivité élevée dans la région de longueur d'onde de 980 nm à 1620 nm. Principalement utilisée dans la surveillance de la puissance optique.

Caractéristiques

1. Structure plane sur substrat SI InP.
2. Éclairage inférieur : zone active Φ300μm.
3. Haute responsabilité et faible courant d'obscurité.
4. Anode et cathode en haut, liaison par fil à l'avant.
5. Seuil ESD élevé : >500V.
6. Plage de fonctionnement de -40℃ à 85℃.
7. Excellente fiabilité : toutes les puces ont satisfait aux exigences de qualification spécifiées par Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% essais et inspections.
9. Des dimensions de puce personnalisées sont disponibles.

Applications

1. Suivi de la puissance optique