Φ2000μmモニターPDチップ

平面構造で、上部にアノード、背面にカソードを持つ、広いアクティブエリアを備えたトップイルミネーション InGaAs/InP モニター PIN フォトダイオード チップです。アクティブエリアのサイズは Φ2000μm で、980nm から 1620nm の波長領域で高い応答性があります。各種 LD の背面ファセットからの光パワー出力のモニタリングに使用できます。

特徴

1. 上部アノード接点を備えた n+ InP 基板上の平面構造。
2. Φ2000μmのアクティブエリア。
3. 高い責任感。
4. 暗電流が低い。
5. 動作バイアス電圧が低い。
6. 動作範囲は-40℃～85℃です。
7. 優れた信頼性: すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE で指定された認定要件に合格しています。
8. 100% テストと検査。
9. チップ寸法のカスタマイズも可能です。

アプリケーション

1. バックファセットレーザーパワーモニタリング。