Φ5000μmモニターPDチップ

この上部照射型 InGaAs/InP モニター PIN フォトダイオード チップは、広いアクティブ領域を備え、平面構造で、上部にアノード、背面にカソードがあります。アクティブ領域のサイズは Φ5000μm で、980nm から 1620nm の波長領域で高い応答性があります。さまざまな LD の背面からの光パワー出力の監視に使用されます。

特徴

1. 上部アノード接点を備えた n+ InP 基板上の平面構造。
2. 有効面積Φ5000μm。
3. 高い応答性と低い暗電流。
4. 動作バイアス電圧が低い。
5. 動作範囲は-40℃～85℃です。
6. 優れた信頼性: すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE で指定された認定要件に合格しています。
7. 100% テストと検査。
8. チップ寸法のカスタマイズも可能です。

アプリケーション

1. 産業用自動制御。
2. 科学分析と実験。
3. スペース光検出装置。
4. 光パワーメーター。
5. 応答スペクトルテスト。