Φ300μm 底面照射型モニターPDチップ

この InGaAs/InP モニター PIN フォトダイオード チップは、大きなアクティブ領域を備え、上部にアノードとカソード、背面に入射面がある平面構造です。底面照射型のアクティブ領域のサイズは Φ300μm で、980nm から 1620nm の波長領域で高い応答性があります。主に光パワーのモニタリングに使用されます。

特徴

1. SI InP 基板上の平面構造。
2. 底面照射型：アクティブエリアΦ300μm。
3. 高い応答性と低い暗電流。
4. 上部に陽極と陰極、前面にワイヤボンドがあります。
5. 高 ESD しきい値: >500V。
6. 動作範囲は-40℃～85℃です。
7. 優れた信頼性: すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE で指定された認定要件に合格しています。
8. 100% テストと検査。
9. チップ寸法のカスタマイズも可能です。

アプリケーション

1. 光パワーの監視