10Gbps Φ50μm トップイルミネーションAPDチップ

この 10G アバランシェフォトダイオードチップ (APD チップ) は、上部に P 電極、下部に N 電極の構造で、上部照射アクティブ領域のサイズは Φ50μm です。この製品は、高増幅、低静電容量、高帯域幅、低温度係数、優れた信頼性を特徴とし、10G SONET/SDH および 10G PON 光受信機に応用されています。

特徴

1. アクティブエリアΦ50μm。
2. 高い乗数。
3. 温度係数が低い。
4. 100% テストと検査。
5. 優れた信頼性: すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE で指定された認定要件に合格しています。
6. RoHS2.0（2011/65/EU）準拠。

アプリケーション

1. 10G ソネット/SDH
2. 10G ポン