120μmエッジ照射型モニターPDチップ

XSJ-10-EMPD-120RB は、平面構造の側面照射型 InGaAs InP PIN モニタリング光検出器チップです。アノードとカソードは前面と背面に金属化されており、チップ側面の検出ウィンドウは 120umX60um です。データ センターや通信エッジ発光レーザーに適しており、980nm ～ 1620nm の波長範囲で高い応答性があり、非気密パッケージに適しています。

特徴

1. 上部にPNボンドパッド
2. エッジ検出可能領域：120μmX60μm。
3. 高い応答性と低い暗電流。
4. 共晶はんだ付けプロセスをサポートします。
5. 100% テストと検査。
6. 非密閉パッケージにも対応します。
7. 優れた信頼性: すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE で指定された認定要件に合格しています。
8. RoHS2.0（2011/65/EU）準拠。

アプリケーション

1. バックファセットレーザーパワーモニタリング。
2. FTTHデジタル光通信。
3. 光相互接続。