この高データレート 12Gbps フォトダイオード チップは、GaAs 上部照明 PIN 構造です。高応答性、低静電容量、低暗電流、アクティブ領域サイズ Φ60μm、TO-CAN パッケージ ワイヤボンド用の上部アノードおよびカソード ボンド パッド、ファイバー チャネル データ伝送への応用が特徴です。
特徴
アプリケーション