この高データレート 10Gbps フォトダイオード チップは、InGaAs/InP PIN 構造で、上部が照明されています。高応答性、低静電容量、低暗電流、アクティブ領域サイズ Φ50μm、TO-CAN パッケージのワイヤボンディング用の上部のアノードおよびカソード ボンディング パッドが特徴です。10Gbps レシーバーでのアプリケーション。
特徴
アプリケーション