この高データレート 25Gbps フォトダイオード チップは、GaAs 上部照明 PIN 構造です。高応答性、低静電容量、低暗電流、アクティブ領域サイズ Φ35μm、TO-CAN パッケージ ワイヤボンド用の上部の信号およびグランド ボンド パッド、850nm での 20~25Gbps 短距離光データ通信への応用が特徴です。
特徴
アプリケーション