この 2Gbps フォトダイオード チップは、InGaAs/InP PIN プレーナ構造で、上面照射型の低暗電流デジタル フォトダイオード チップです。アクティブ領域のサイズは Φ70μm です。高温暗電流が低く、応答性が高く、信頼性に優れているのが特徴です。2Gbps 以下の光受信機や EPON ONU に応用できます。
特徴
アプリケーション