この高データレート 100 Gbps フォトダイオード チップは、GaAs 上部照明 PIN 構造です。高応答性、低静電容量、低暗電流、アクティブ領域サイズ Φ38μm、TO-CAN パッケージ ワイヤボンド用の上部アノードおよびカソード ボンド パッド、ファイバー チャネル データ伝送、100 ギガビット イーサネット、マルチモード通信などのアプリケーションが特徴です。製品寸法は、非密閉パッケージ用に特別に調整されています。
特徴
アプリケーション
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