光検出センサーチップは、InGaAs/InP 上部照射型フォトダイオードチップで、平面構造、前面にアノード、背面にカソードがあり、正方形のアクティブ領域のサイズは 220um*220um で、信頼性が高く、暗電流が低いなどの特性があり、131nm~1550nm の波長範囲で高い応答性があり、主に TWS インイヤー検出に使用されます。
特徴
アプリケーション