Φ2000μmコプレーナ電極モニターPDチップ

メサ構造の大きなアクティブエリア、前面にアノードボンドパッドとカソードボンドパッドを備えたトップイルミネーションInGaAs/InPモニターPINフォトダイオードチップです。アクティブエリアのサイズはΦ2000μmで、910nmから1650nmの波長領域で高い応答性があります。各種LDの背面からの光パワー出力のモニタリングに使用できます。

特徴

1. SI 上のメサ構造。InP 基板。
2. Φ2000μmのアクティブエリア。
3. 高い責任感。
4. 暗電流が低い。
5. 動作バイアス電圧が低い。
6. 上部に陽極と陰極、前面にワイヤボンドがあります。
7. 動作範囲は-40℃～85℃です。
8. 優れた信頼性: すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE で指定された認定要件に合格しています。
9. 100% テストと検査。
10. チップ寸法のカスタマイズも可能です。

アプリケーション

1. バックファセットレーザーパワーモニタリング。