Φ500μm 底面メタライズドモニターPDチップ

このトップイルミネーションInGaAs/InPモニターPINフォトダイオードチップは、広いアクティブエリアを持ち、上部にアノード、背面にカソードを備えた平面構造です。アクティブエリアのサイズはΦ500μmで、1100nmから1700nmの波長領域で高い応答性があります。さまざまなLDの背面ファセットからの光パワー出力の監視に使用できます。特徴

有効面積Φ500μm。

高い責任感。

高い直線性。

暗電流が低い。

動作バイアス電圧が低い。

AnSnはんだ付けプロセスをサポートします。

動作範囲は-40℃～85℃です。

優れた信頼性: すべてのチップは、Telcordia -GR-468-CORE で指定された認定要件に合格しています。

100% テストと検査。

チップ寸法のカスタマイズも可能です。

RoHS2.0（2011/65/EU）準拠。

アプリケーション

バックファセットレーザーパワーモニタリング。