이 상단 조명 InGaAs/InP 모니터 PIN 광다이오드 칩은 넓은 활성 영역, 평면 구조, 상단에 애노드, 후면에 캐소드가 있습니다. 활성 영역 크기는 Φ5000μm이며 980nm에서 1620nm의 파장 영역에서 높은 반응성을 보입니다. 다양한 LD의 후면에서 광 출력 모니터링에 적용합니다.
특징
n+ InP 기판의 평면 구조와 상부 양극 접촉.
활성 면적은 Φ5000μm입니다.
높은 책임성과 낮은 암전류.
낮은 작동 바이어스 전압.
-40℃ ~ 85℃ 작동 범위.
뛰어난 신뢰성: 모든 칩은 Telcordia-GR-468-CORE에서 지정한 자격 요건을 통과했습니다.