10Gbps Φ50μm 상부 조명 APD 칩

이 10G 눈사태 광전 다이오드 칩(APD 칩)은 상단에 P 전극, 하단에 N 전극 구조의 일종으로, 상단 조명 활성 영역 크기는 Φ50μm입니다. 이 제품은 높은 곱셈, 낮은 커패시턴스, 높은 대역폭, 낮은 온도 계수 및 뛰어난 신뢰성을 특징으로 하며 10G SONET/SDH 및 10G PON 광 수신기에 적용됩니다.

특징

1. 활성 영역 Φ50μm.
2. 높은 곱셈.
3. 낮은 온도 계수.
4. 100% 테스트 및 검사.
5. 뛰어난 신뢰성: 모든 칩은 Telcordia-GR-468-CORE에서 지정한 자격 요건을 통과했습니다.
6. RoHS2.0 (2011/65/EU) 준수.

응용 프로그램

1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON