12Gbps Φ60μm GaAs PIN PD 칩

이 높은 데이터 전송 속도 12Gbps 포토다이오드 칩은 GaAs 상단 조명 PIN 구조입니다. 특징은 높은 책임, 낮은 정전용량, 낮은 암전류, 활성 영역 크기는 Φ60μm, TO-CAN 패키지 와이어 본딩을 위한 상단에 애노드 및 캐소드 본드 패드, 파이버 채널 데이터 전송에 적용됩니다.

특징

1. 활성 영역 Φ60μm.
2. 낮은 정전용량과 낮은 암전류.
3. 높은 책임감.
4. 최대 12Gbps의 데이터 전송 속도.
5. 뛰어난 신뢰성: 모든 칩은 Telcordia-GR-468-CORE에서 지정한 자격 요건을 통과했습니다.
6. 100% 테스트 및 검사.

응용 프로그램

1. 10기가비트 BASE-SR 이더넷.
2. 8Gbps 파이버 채널 데이터 전송.
3. 12Gbps InfiniBand 데이터 전송.