IR 광학 센서 칩

높은 ESD 설계, 높은 응답성, 낮은 암전류, 양의 조명 유형, 전면에 애노드, 후면에 캐소드, 둥근 활성 영역 크기는 Ф 1000μm입니다. 900nm~1700nm 범위에서 매우 높은 응답성을 가지고 있으며 주로 LD 백라이트 감지에 사용됩니다.

특징

1. 높은 정전 방전 설계, 높은 응답성(900nm~1700nm), 낮은 암전류, 상단 조명, 상단에 양극, 후면에 음극이 있습니다.
2. Φ=1000μm, 원형 활성 영역.
3. 모든 칩은 Telcordia-GR-468-CORE가 지정한 자격 요건을 통과했으며 RoHS2.0(2011/65/EU)을 준수합니다.

응용 프로그램

1. 광전사복광안경