Φ3000μm 모니터 PD 칩

이 상단 조명 InGaAs/InP 모니터 PIN 광다이오드 칩은 넓은 활성 영역, 평면 구조, 상단에 애노드, 후면에 캐소드가 있습니다. 활성 영역 크기는 Φ3000μm이며 980nm에서 1620nm의 파장 영역에서 높은 반응성을 보입니다. 다양한 LD의 후면 패싯에서 광 전력 출력을 모니터링하는 데 사용됩니다.

특징

1. n+ InP 기판의 평면 구조와 상부 양극 접촉.
2. 활성 면적 Φ3000μm.
3. 높은 책임감.
4. 낮은 암전류.
5. 낮은 작동 바이어스 전압.
6. -40℃ ~ 85℃ 작동 범위.
7. 뛰어난 신뢰성: 모든 칩은 Telcordia-GR-468-CORE에서 지정한 자격 요건을 통과했습니다.
8. 100% 테스트 및 검사.
9. 맞춤형 칩 치수도 가능합니다.

응용 프로그램

1. 뒷면 레이저 출력 모니터링.