Chip de monitor PD Φ200μm

Este chip fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP com iluminação superior com grande área ativa, que é estrutura planar, ânodo na parte superior e cátodo na parte inferior. O tamanho da área ativa é Φ200μm e alta responsividade na região de comprimento de onda de 980 nm a 1620 nm. Aplicação no monitoramento da saída de potência óptica da faceta traseira de vários LD.

Características

1. Estrutura plana em substrato n+ InP com contato de ânodo superior.
2. Área ativa de Φ200μm.
3. Alta responsabilidade.
4. Baixa corrente escura.
5. Baixa tensão de polarização operacional.
6. Faixa de operação de -40℃ a 85℃.
7. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100%1 testes e inspeção.
9. Dimensão de chip personalizada está disponível.

Aplicações

1. Monitoramento de potência do laser da face posterior.