Este chip fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP com iluminação superior com grande área ativa, que é estrutura planar, ânodo na parte superior e cátodo na parte traseira. O tamanho da área ativa é Φ5000μm e alta responsividade na região de comprimento de onda de 980 nm a 1620 nm. Aplicação no monitoramento da saída de potência óptica da faceta traseira de vários LD.
Características
- Estrutura plana em substrato n+ InP com contato de ânodo superior.
- Área ativa de Φ5000μm.
- Alta responsabilidade e baixa corrente escura.
- Baixa tensão de polarização operacional.
- Faixa de operação de -40℃ a 85℃.
- Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
- 100%1 testes e inspeção.
- Dimensão de chip personalizada está disponível.
Aplicações
- Controle automático industrial.
- Análise e experimento científico.
- Equipamentos de detecção de luz em espaços.
- Medidor de potência óptica.
- Teste de espectro de resposta.