Chip APD de 10 Gbps Φ40 μm com iluminação superior

Este chip fotodiodo de avalanche de 10 Gbps (chip APD) é um tipo de estrutura de eletrodo Ground-Signal-Ground (GSG), com tamanho de área ativa iluminada superior de Φ40 μm. Este produto apresenta alta multiplicação, baixa capacitância, alta largura de banda, baixo coeficiente de temperatura e excelente confiabilidade, aplicação em receptor óptico 10G SONET/SDH e 10G PON.

Características

1. Área ativa de Φ40μm.
2. Alta multiplicação.
3. Alta taxa de dados.
4. Baixo coeficiente de temperatura.
5. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100%1 testes e inspeção.

Aplicações

1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON