Este chip fotodiodo de alta taxa de dados de 10 Gbps é estrutura PIN InGaAs/InP e iluminado na parte superior. Os recursos são alta responsabilidade, baixa capacitância, baixa corrente escura, tamanho da área ativa é Φ50 μm, ânodo e cátodo bond pad na parte superior para wire-bonding do pacote TO-CAN. Aplicação em receptor de 10 Gbps.
Características
Aplicações
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