Chip APD de 10 Gbps Φ50 μm com iluminação superior

Este chip de fotodiodo de avalanche 10G (chip APD) é um tipo de eletrodo P na parte superior e eletrodo N na estrutura inferior, com tamanho de área ativa iluminada na parte superior de Φ50μm. Este produto apresenta alta multiplicação, baixa capacitância, alta largura de banda, baixo coeficiente de temperatura e excelente confiabilidade, aplicação em receptor óptico 10G SONET/SDH e 10G PON.

Características

1. Área ativa de Φ50μm.
2. Alta multiplicação.
3. Baixo coeficiente de temperatura.
4. 100%1 testes e inspeção.
5. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
6. Em conformidade com RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicações

1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON