Chip PD de equilíbrio de matriz 1X4

Este chip fotodiodo PIN de monitor de matriz InGaAs/InP 1X8 com grande área ativa, que é uma estrutura planar com ânodo e cátodo na parte superior, superfície incidente na parte traseira. Com tamanho de área ativa iluminada na parte inferior de Φ100μm e alta responsividade na região de comprimento de onda de 900 nm a 1650 nm. Principalmente aplicação no monitoramento da potência óptica.

Características

1. Iluminação inferior: área ativa de Φ100μm.
2. Matriz 1X8, passo da matriz: 300μm.
3. Alta responsabilidade.
4. Baixa corrente escura.
5. Ânodo e cátodo na parte superior, soldagem eutética.
6. Faixa de operação de -40°C a 90°C.
7. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100%1 testes e inspeção.
9. Dimensão de chip personalizada está disponível.
10. Em conformidade com RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicações

1. Monitoramento da potência óptica.