Este chip fotodiodo de alta taxa de dados de 10 Gbps é estrutura PIN InGaAs/InP e iluminado na parte superior. Os recursos são alta responsabilidade, baixa capacitância, baixa corrente escura, tamanho da área ativa é Φ50 μm, ânodo e cátodo bond pad na parte superior para wire-bonding do pacote TO-CAN. Aplicação em receptor de 10 Gbps.
Características
- Área ativa de Φ20μm.
- Estrutura de pad de ligação Terra-Sinal-Terra (GSG) na parte superior.
- Baixa corrente escura, baixa capacitância, alta responsabilidade.
- Taxa de dados de até 25 Gbps.
- Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
- 100%1 testes e inspeção.
- Em conformidade com RoHS2.0 (2011/65/UE).
Aplicações
- 100 Gigabit Ethernet
- Links analógicos de 20 GHz.
- Teste e medição de alta velocidade.