Este chip fotodiodo de 3 GHz é uma estrutura planar PIN InGaAs/InP e chip PD digital/analógico de alta responsividade de 3 GHz com iluminação superior, tamanho da área ativa é Φ70 μm. Essas características são baixa corrente escura, baixa capacitância, alta responsividade, obtendo assim menor distorção de intermodulação de segunda ordem (IMD2) e distorção de batida tripla composta (CTB) e excelente confiabilidade. Aplicação em receptor óptico de 2,5 Gbps e abaixo, EPON ONU e receptor óptico analógico CATV.
Características
Aplicações
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