4X10Gbps Φ70μm 250μm Passo da matriz 1X4 Matriz GaAs PIN PD Chip

Este chip fotodiodo de alta taxa de dados 4X10Gbps é uma estrutura PIN iluminada por GaAs. Os recursos são alta responsabilidade, baixa capacitância, baixa corrente escura, tamanho da área ativa é Φ70μm, pad de ligação de ânodo e cátodo na parte superior para ligação de fio de pacote TO-CAN, aplicação em transmissão de dados de canal de fibra, Ethernet de 10 Gigabit e comunicação multimodo, etc.

Características

1. Área ativa de Φ70μm.
2. Baixa capacitância e baixa corrente escura.
3. Alta responsabilidade.
4. Taxa de dados de até 10 Gbps.
5. Passo da matriz: 250μm
6. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100%1 testes e inspeção.

Aplicações

1. Receptor AOC (Cabo Óptico Ativo) de 10 Gbps a 850 nm.
2. Banda infinita.
3. SONET/SDH