4X25 Gbps Φ38μm 250μm Passo da matriz 1X4 Matriz GaAs PIN PD Chip

Este chip fotodiodo de alta taxa de dados de 100 Gbps é uma estrutura PIN de GaAs com iluminação superior. Os recursos são alta responsabilidade, baixa capacitância, baixa corrente escura, tamanho da área ativa é Φ38μm, pad de ligação de ânodo e cátodo na parte superior para ligação de fio de pacote TO-CAN, aplicação em transmissão de dados de canal de fibra, Ethernet de 100 Gigabit e comunicação multimodo, etc. As dimensões do produto são especificamente adaptadas para pacote não hermético.

Características

1. Área ativa de Φ38μm.
2. Baixa capacitância, baixa corrente escura, alta responsabilidade.
3. Design de pastilha de ligação GS.
4. Passo da matriz: 250μm
5. 100%1 testes e inspeção.
6. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
7. Em conformidade com RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicações

1. 100G SR4