4X25 Gbps Φ38μm 250μm Passo da matriz 1X4 Matriz GaAs PIN PD Chip

Este chip fotodiodo de alta taxa de dados 4X25Gbps é uma estrutura de PIN de matriz 1×4 com iluminação superior de GaAs. Os recursos são alta responsabilidade, baixa capacitância e baixa corrente escura, o tamanho da área ativa é Φ38μm, o sinal e ambos os pads de ligação à terra são projetados na parte superior do chip para fácil ligação de fios, aplicação em comunicação de dados de curto alcance de 850 nm e 25 Gbps, a dimensão do chip atende ao requisito de embalagem para 25 Gbps por módulo de canal ou receptor de cabo óptico ativo (AOC).

Características

1. Área ativa de Φ38μm.
2. Baixa capacitância.
3. Baixa corrente escura.
4. Alta responsabilidade.
5. Taxa de dados: até 25 Gbps acima por canal.
6. Projeto de passivação e pad de ligação terra-sinal-terra fora da área do pad de ligação.
7. Passo da matriz: 250μm
8. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
9. 100%1 testes e inspeção.
10. Em conformidade com RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicações

1. Transceptor de comunicação de dados.
2. Receptor AOC (Cabo Óptico Ativo) de 25 Gbps a 850 nm.
3. SFP+ de 25 Gbps.
4. QSFP de 4X25 Gbps.