4x28 Gbps Φ35μm 250μm Passo da matriz 1×4 GaAs PIN PD Chip

Este chip fotodiodo 4X28Gbps NRZ/4X56Gbps PAM-4 de alta taxa de dados é uma estrutura de PIN de matriz 1×4 com iluminação superior de GaAs. Os recursos são alta responsabilidade, baixa capacitância e baixa corrente escura, o tamanho da área ativa é Φ35μm, o sinal e ambos os pads de ligação de aterramento são projetados na parte superior do chip para fácil ligação de fios, aplicação em comunicação óptica de dados de curto alcance PAM-4 850nm 4X28Gbps/4X56Gbps.

Características

1. Área ativa de Φ35μm.
2. Baixa corrente escura.
3. Projeto de pad de ligação terra-sinal-terra.
4. Passo da matriz: 250μm
5. 100%1 testes e inspeção.
6. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
7. Em conformidade com RoHS2.0 (2011/65/UE).

Aplicações

1. 200G SR4
2. Comunicação óptica de fibra multimodo paralela