Chip sensor óptico infravermelho

Design de alta ESD, alta capacidade de resposta, baixa corrente escura, tipo de iluminação positiva, ânodo na frente e cátodo atrás, tamanho da área ativa redonda é Ф 1000μ m. Tem capacidade de resposta extremamente alta na faixa de 900 nm ~ 1700 nm e é usado principalmente para detecção de luz de fundo LD.

Características

1. Design de alta descarga eletrostática, alta responsabilidade (900 nm ~ 1700 nm), baixa corrente escura, iluminação superior, ânodo na parte superior e cátodo na parte traseira.
2. Φ=1000μm, área ativa redonda.
3. Todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE, em conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU).

Aplicações

1. 激光器背光监测