Chip PD de monitor iluminado por baixo Φ300μm

Este chip fotodiodo PIN de monitor InGaAs/InP com grande área ativa, que é uma estrutura planar com ânodo e cátodo na parte superior, superfície incidente na parte traseira. Com tamanho de área ativa iluminada na parte inferior é Φ300μm e alta responsividade na região de comprimento de onda de 980 nm a 1620 nm. Aplicação principalmente no monitoramento da potência óptica.

Características

1. Estrutura plana em substrato SI InP.
2. Iluminação inferior: área ativa de Φ300μm.
3. Alta responsabilidade e baixa corrente escura.
4. Ânodo e cátodo na parte superior, ligação de fios na parte frontal.
5. Limite alto de ESD: >500 V.
6. Faixa de operação de -40℃ a 85℃.
7. Excelente confiabilidade: todos os chips passaram pelos requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100%1 testes e inspeção.
9. Dimensão de chip personalizada está disponível.

Aplicações

1. Monitoramento da potência óptica