Этот четырехквадрантный PIN-фотодиодный чип InGaAs/InP с большой активной областью, которая имеет планарную структуру, анод сверху и катод сзади, с четырьмя квадрантами, размер верхней освещенной активной области составляет Φ1500 мкм, четыре квадранта, высокая чувствительность. Применение в лазерном позиционном мониторе, положении луча, выравнивании луча и оптическом слежении, позиционировании, лазерном теодолите и т. д.
Функции
Приложения
© 2024 PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd