Φ200мкм Мониторный PD Чип

Этот чип PIN-фотодиода с верхней подсветкой InGaAs/InP с большой активной областью, которая имеет планарную структуру, анод сверху и катод снизу. Размер активной области составляет Φ200 мкм, и высокая чувствительность в диапазоне длин волн от 980 нм до 1620 нм. Применение для контроля выходной оптической мощности с задней грани различных LD.

Функции

1. Планарная структура на подложке n+ InP с верхним анодным контактом.
2. Активная область Φ200мкм.
3. Высокая ответственность.
4. Низкий темновой ток.
5. Низкое рабочее напряжение смещения.
6. Рабочий диапазон температур от -40℃ до 85℃.
7. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% испытания и проверки.
9. Доступны индивидуальные размеры чипа.

Приложения

1. Контроль мощности лазера на задней грани.