Чип PIN-фотодиода InGaAs с верхней подсветкой, имеющий плоскую структуру с анодом сверху и катодом сзади. С активной областью Φ10000 мкм и высокой чувствительностью в диапазоне длин волн от 900 нм до 1700 нм. Применяется для контроля выходной оптической мощности с задней грани различных LD и других мониторов.
Функции
- Планарная структура на подложке n+ InP с верхним анодным контактом.
- Активная область Φ10000мкм.
- Высокая ответственность.
- Низкий темновой ток.
- Низкое рабочее напряжение смещения.
- Рабочий диапазон температур от -40℃ до 85℃.
- Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
- 100% испытания и проверки.
- Доступны индивидуальные размеры чипа.
Приложения
- Контроль мощности лазера на задней грани.