10 Гбит/с Φ50 мкм PIN PD чип

Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 10 Гбит/с имеет структуру InGaAs/InP PIN и верхнюю подсветку. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50 мкм, анодная и катодная контактная площадка сверху для проводного соединения пакета TO-CAN. Применение в приемнике 10 Гбит/с.

Функции

1. Активная область Φ50мкм.
2. Низкая емкость.
3. Высокая ответственность.
4. Низкий темновой ток.
5. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
6. Скорость передачи данных до 10 Гбит/с.
7. 100% испытания и проверки.

Приложения

1. Оптические сети большой протяженности.
2. 10G Ethernet.
3. Волоконно-оптическая передача данных.
4. WDM, АТМ.