10 Гбит/с Φ40 мкм APD-чип с верхней подсветкой

Этот чип лавинного фотодиода 10 Гбит/с (чип APD) представляет собой своего рода структуру электрода «земля-сигнал-земля» (GSG), с верхней освещенной активной областью размером Φ40 мкм. Этот продукт отличается высоким умножением, низкой емкостью, высокой пропускной способностью, низким температурным коэффициентом и превосходной надежностью, применяется в оптических приемниках 10G SONET/SDH и 10G PON.

Функции

1. Активная область Φ40мкм.
2. Высокое умножение.
3. Высокая скорость передачи данных.
4. Низкий температурный коэффициент.
5. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% испытания и проверки.

Приложения

1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON