120 мкм чип PD монитора с боковой подсветкой

XSJ-10-EMPD-120R — это PIN-фотодиодный чип с торцевой подсветкой InGaAs/InP, имеющий планарную структуру с анодным контактом и катодным контактом сверху. Размер области обнаружения края фотодиода составляет 120 мкмX60 мкм, что подходит для лазеров с торцевой подсветкой, используемых в центрах обработки данных и телекоммуникационных приложениях, и обеспечивает превосходную чувствительность в диапазоне длин волн от 980 нм до 1620 нм. Размеры продукта специально рассчитаны на негерметичный корпус.

Функции

1. Сверху имеется прокладка PN-связующего типа, подходит для негерметичной упаковки.
2. Область обнаружения края: 120мкмX60мкм.
3. Высокая ответственность и низкий темновой ток.
4. Низкое рабочее напряжение смещения.
5. Рабочий диапазон температур от -40℃ до 85℃.
6. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% испытания и проверки.
8. Доступны индивидуальные размеры чипа.

Приложения

1. Контроль мощности лазера на задней грани.
2. Цифровая оптическая связь FTTH.
3. Оптическое соединение.