12 Гбит/с Φ60 мкм GaAs PIN PD чип

Этот чип фотодиода с высокой скоростью передачи данных 12 Гбит/с представляет собой структуру PIN с верхней подсветкой GaAs. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ60 мкм, контактная площадка анода и катода сверху для проводного соединения пакета TO-CAN, применение в передаче данных по оптоволоконному каналу.

Функции

1. Активная область Φ60мкм.
2. Низкая емкость и низкий темновой ток.
3. Высокая ответственность.
4. Скорость передачи данных до 12 Гбит/с.
5. Превосходная надежность: все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% испытания и проверки.

Приложения

1. 10-гигабитный BASE-SR Ethernet.
2. Передача данных по оптоволоконному каналу со скоростью 8 Гбит/с.
3. Передача данных InfiniBand со скоростью 12 Гбит/с.