Фотодиодный чип 2,5 Гбит/с представляет собой InGaAs/InP планарную PIN-структуру и цифро-аналоговый чип PD с верхней подсветкой, размер активной области Φ70 мкм. Он характеризуется низким темновым током, низкой емкостью, высокой чувствительностью, низкими интермодуляционными искажениями второго порядка (IMD2) и композитными тройными биениями (CTB), превосходной надежностью. Применение в аналоговых приемниках 2,5 Гбит/с и ниже и EPON ONU.
Функции
Приложения
© 2024 PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd